반도체 prstrip , 식각 공정 질문
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반도체 공정에서 PR strip과 Etch 공정의 순서는 일반적으로 다음과 같습니다:
1. Etch 공정: 이 과정에서는 웨이퍼 위에 형성된 박막 일부 또는 전부를 깍아내는 작업이 이루어집니다. 이 과정은 Wet etch와 Dry etch 두 가지 방법이 있으며, Wet etch의 경우 구리 식각액에 웨이퍼를 담근 후, D.I water에 웨이퍼를 담궈서 식각 찌꺼기와 구리 식각액을 제거하고, Blowing gun을 이용하여 웨이퍼 위에 남은 용액을 없애는 과정을 거칩니다.
2. PR strip 공정: 이 과정에서는 PR (Photoresist)를 제거하는 작업이 이루어집니다. 웨이퍼에 아세톤을 뿌린 후, 에탄올을 이용하여 웨이퍼에 존재하는 하얀 얼룩을 제거하고, D.I water에 웨이퍼를 뿌려준 후, Blowing gun으로 blowing 해주는 과정을 거칩니다.
따라서, 일반적으로는 Etch 공정이 먼저 이루어진 후 PR strip 공정이 이루어집니다. 하지만, 특정 반도체 제조 공정에서는 이 순서가 달라질 수 있으므로, 특정 공정에 대한 자세한 정보는 해당 공정의 설계자나 엔지니어에게 문의하는 것이 가장 정확할 것입니다.